被譽為“現代工業的糧食”的半導體產業近期引發諸多關注。

2020年全國兩會召開之際，民進中央提交了《關于推動中國功率半導體產業科學發展》的提案。該提案建議，要進一步完善功率半導體產業發展政策;要把功率半導體新材料研發列入國家計劃，全面部署，竭力搶占戰略制高點，盡快實現功率半導體芯片自主供給。

半導體是新經濟發展的基石與晴雨表。近年以來，為構建我國自主可控、安全可靠的半導體產業體系，國家頻頻出臺相關支持政策，推動半導體產業國產替代進程。

多位業內人士在采訪中告訴《中國經營報》記者，在國家政策大力支持、產業迫切需求以及貿易摩擦等因素的推動下，半導體產業的國產替代已取得一定成效。此次全國兩會再聚焦于此，半導體國產化將進一步加快。根據國信證券研報，在國產替代方面，國內半導體市場有10倍以上的增長空間。

“中國半導體產業目前依舊處在朝陽階段，可以看成是10年前的手機產業鏈，相信國內半導體產業會在政策和科技周期共振下走向巨大的成長。”上海證券分析師袁威津表示。

國產替代再迎機遇

“國產替代”是近幾年半導體行業屢被提及的關鍵詞匯。近期，美國對華半導體出口管制進一步升級，引發輿論關注。在這樣的背景下，2020年全國兩會召開前夕，民進中央提交的《關于推動中國功率半導體產業科學發展》的提案有著更多的意味。

相較于歐美等其他國家，我國半導體產業起步較晚，且長期存在技術封鎖，目前與國際先進水平相比仍有較大差距。

相關數據顯示，我國半導體材料在國際中處于中低端領域，大部分產品的自給率較低，主要是技術壁壘較低的封裝材料，而制造材料主要依靠進口。目前，我國半導體材料企業集中在6英寸以下的生產線，少量企業開始打入8英寸、12英寸生產線。在半導體設備方面，目前，中國半導體設備國產化低于20%。

半導體行業是一個事關國家戰略安全和產業競爭力的重要產業。近年來，無論是國家還是產業界，均高度重視半導體產業的發展。受訪人士認為，盡管近期受到美國出口禁令政策干擾，但半導體產業的國產替代道路將更加堅定，并將有可能掀起“國產替代”高潮。

業內人士多認為，在半導體產業中，功率半導體國產化是我國實現半導體產業自主可控的關鍵環節。

記者了解到，功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，是高鐵、汽車、光伏、電網輸電、家用電器等應用的上游核心零部件。功率 IC、IGBT、MOSFET、二極管是四種運用最為廣泛的功率半導體產品。

當前，全球功率半導體巨頭主要集中美國、歐洲、日本三個地區。大陸、臺灣地區廠商主要集中在二極管、晶閘管、低壓 MOSFET 等低端功率器件領域，IGBT、中高壓 MOSFET 等高端器件主要由歐美日廠商占據。

“功率半導體產業鏈是本土半導體部分相對最成熟環節之一，設計、制造、封測、應用等發展積累豐富。”一位半導體業內人士對記者表示，功率半導體的前端制造對于工藝要求較低，對后端封裝和針對化應用則有更高的要求。我國半導體封裝產業鏈目前已經較為接近國際一流水平，同時中國擁有全球最大的下游應用市場，國內企業具備充分的追趕條件。

民進中央在提交的《關于推動中國功率半導體產業科學發展》的提案中指出，隨著工業、汽車、無線通訊和消費電子等領域新應用的不斷涌現以及節能減排需求日益迫切，我國功率半導體有龐大的市場需求，容易催生新產業新技術，在國家政策利好下，功率半導體將成為“中國芯”的最好突破口。

民進中央在提案中建議，要進一步完善功率半導體產業發展政策，盡快實現功率半導體芯片自主供給。同時，要加大對功率半導體新材料進行科技攻關，把功率半導體新材料研發列入國家計劃。“目前，碳化硅、氮化鎵市場處于起步階段，國內廠商與海外傳統巨頭之間差距較小，國內企業有望在本土市場應用中實現彎道超車”。

“中國半導體產業已經走到逆水行舟不進則退的階段。中國唯有將外部壓力轉化為半導體產業發展動力，并用好大基金與資本市場優化資源分配， 加速推進產業發展。中國半導體產業目前依舊處在朝陽階段，可以看成是10年前的手機產業鏈，相信國內半導體產業會在政策和科技周期共振下走向巨大的成長。”上海證券分析師袁威津表示。

汽車電動化被認為是功率半導體產業發展的新動能。中銀證券在最新發布的研報中指出，隨著新能源汽車產業的發展、5G通訊到來，功率半導體器件的需求將持續提升。在半導體國產化的大趨勢下，國內功率半導體企業有望迎來新的發展機遇。

龍頭企業領跑

在國內半導體行業，完成國產替代是行業內各企業努力追逐的目標。

吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱“華微電子”，600360.SH)是我國功率半導體龍頭企業，也是一直踐行國產替代戰略的企業之一。華微電子主要生產功率半導體器件及IC，應用于消費電子、節能照明、計算機、PC、汽車電子、通訊保護與工業控制等領域。目前，其已形成IGBT、MOSFET、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等系列功率半導體產品。

記者了解到，目前華微電子已擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導體分立器件及IC芯片生產線，芯片加工能力為每年400余萬片，封裝資源為24億只/年，模塊1800萬塊/年。同時，今年6月，華微電子8英寸生產線將投入使用。

一位長期關注功率半導體產業的業內資深人士對記者表示，華微電子在功率半導體行業內深耕積淀多年，積極卡位行業領先產品種類， 自主掌握了IGBT薄片工藝、Trench工藝、壽命控制和終端設計等核心工業技術，達到同行業先進水平。未來，華微電子將成為功率半導體器件替代進口的有力競爭者。

華微電子在功率半導體產業中已經浸淫五十余年，在中國功率半導體器件行業連續十年排名第一。作為行業的“排頭兵”，華微電子也在加碼對功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品——IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，即絕緣柵雙極型晶體管產品線的布局。

記者了解到，華微電子是國內率先量產IGBT功率半導體產品的企業之一，從2008年開始研制第一代IGBT芯片至今，其已研發出四代IGBT芯片，目前正在開發集成電流傳感和溫度傳感的第五代IGBT芯片。

作為一種新型電力電子器件，IGBT芯片是工業控制及自動化領域的核心元器件，廣泛應用于電機節能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發電、新能源汽車等領域。

業內普遍認為，隨著新能源汽車的發展以及變頻白色家電的普及，IGBT的應用優勢將逐步凸顯。它不僅在工業應用中提高了設備的自動化水平、控制精度等，也大幅提高了電能的應用效率，同時減小了產品體積和重量，節約了材料，未來的應用空間十分廣闊。目前，IGBT 國產化已成為國家關鍵半導體器件的發展重點之一，IGBT 也被列為國家“02 專項”的重點扶持項目。未來，布局該半導體芯片業務的華微電子等企業將受益。

記者在采訪中了解到，目前華微電子的產品已經向新能源汽車、變頻家電、工業和光伏新興領域快速拓展，并已取得良好效果。同時，其已建立從高端二極管、單雙向可控硅、MOS系列產品到第六代IGBT國內最齊全、最具競爭力的功率半導體器件產品體系，正逐步由單一器件供應商向整體解決方案供應商轉變。

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